斯达半导 个股分析？斯达半导股吧股票？斯达半导最新变动？

1. 斯达半导 个股分析？斯达半导股吧股票？斯达半导最新变动？

芯片被"卡脖子"长期阻碍着我国半导体行业的发展，在政策和基金倾斜的情况下，芯片的国产化进程持续加快，兴起一批品质良好的芯片企业。今天就给大家说明一个芯片半导体行业中的优质企业--斯达半导。
在开始分析斯达半导前，我整理好的芯片行业龙头股名单分享给大家，点击就可以领取：宝藏资料：芯片行业龙头股名单

 
一、从公司角度来看
公司介绍：斯达半导的主营业务为以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计、研发、生产,并以IGBT模块形式对外实现销售。主要产品可用于功率范围从0.5kW至1MW以上的不同领域等。斯达半导是国内IGBT领域领军企业，国内唯一进入全球前十的IGBT模块供应商
简单介绍了斯达半导的公司情况后，再来看一下公司的优势有哪些？
优势一、技术优势
斯达半岛认为公司最重要的就是技术发展和产品质量，并且以开发新产品和新技术作为公司的主要工作，不断增加研发资金投入，培养、组建了一支高素质的国际型研发队伍，涵盖了IGBT、快恢复二极管等功率芯片和 IGBT、MOSFET、SiC 等功率模块的设计、工艺开发、产品测试、产品应用等，在半导体技术、电力电子、控制、材料、力学、热学、结构等多学科具备了深厚的技术积累。
优势二、细分行业的领军企业
斯达半导自成立就比较重视IGBT为主的功率器件的设计研发、生产以及销售方面的问题。在IHS Markit2020年报告中显示，在2019年度IGBT模块的全球市场份额里面，斯达半导占有率国际排名第7位（并列），属于排名第一的中国企业，是国内IGBT行业中最为优质的企业。
	优势三、具备先发优势
IGBT 模块不但在应用上极为广泛，且是下游产品中的核心器件，一旦发生问题会出现产品无法使用的情况，对下游企业来说会面对不小的损失，有着昂贵的替代成本，因此，一般下游企业都会经过为期较长的认证期后才可以大批量采购。
国内的其他企业如果要布局IGBT模块市场，那么将会要面临较大的资金投入压力和市场开发的困难，斯达半导的先发优势更加突出。随着公司生产规模的不断发展，自主芯片非常厉害，可以批量导入，在一定程度上能够巩固供货的稳定性优势，从而劝退了许多想要进入本行业的潜在竞争对手。
由于篇幅受限，更多关于斯达半导的深度报告和风险提示，我整理在这篇研报当中，点击即可查看：【深度研报】斯达半导点评，建议收藏！

 
 
二、从行业角度来看
结合IHS 的数据，全球功率半导体市场规模为422 亿美元，在2020 年里面同比增长4.6%，而中国功率半导体市场规模为153亿美元，相比上一年增加了6.3%。同时，其细分市场中发展最快的半导体功率器件当属IGBT了。
近年来，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而饱受关注。其中碳化硅功率器件由于受下游新能源汽车等行业需求的拉动，市场规模有着较快的增长速度，行业有着较为广阔的市场空间。
总的来说，我认为斯达半导公司作为芯片半导体行业中做的较好的企业，凭借行业的盈利，有望获得快速发展。但是文章具有一定的滞后性，如果想更准确地知道斯达半导未来行情，直接点击链接，有专业的投顾帮你诊股，看下斯达半导现在行情是否到买入或卖出的好时机：【免费】测一测斯达半导还有机会吗？
应答时间：2021-10-31，最新业务变化以文中链接内展示的数据为准，请点击查看

2. 第三代碳化硅二级管已量产,今年还将发布新的碳化硅MOSFET的上市公司

第三代半导体概念龙头上市公司有：

三安光电600703：龙头。湖南三安半导体项目主要投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化。

闻泰科技600745：龙头。公司将加大在第三代半导体领域投资，大力发展氮化镓和碳化硅技术。

扬杰科技300373：龙头。扬杰科技是国内领先的功率半导体IDM厂商，具备完善的芯片设计、晶圆制造、封装检测能力。公司主要产品为各类二极管整流桥，并逐步往MOSFET、IGBT、第三代半导体功率器件等高端产品延伸。公司拥有大规模成熟制程晶圆产线，并凭借IDM的优秀模式和高效运营取得高盈利能力，利润率领先同行。

赛微电子300456：龙头。北京赛微电子股份有限公司以半导体业务为核心，面向物联网与人工智能时代，一方面重点发展MEMS工艺开发与晶圆制造业务，一方面积极布局GaN材料与器件业务，致力于成为国际化知名半导体科技企业集团。【摘要】
第三代碳化硅二级管已量产,今年还将发布新的碳化硅MOSFET的上市公司【提问】
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第三代半导体概念龙头上市公司有：

三安光电600703：龙头。湖南三安半导体项目主要投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化。

闻泰科技600745：龙头。公司将加大在第三代半导体领域投资，大力发展氮化镓和碳化硅技术。

扬杰科技300373：龙头。扬杰科技是国内领先的功率半导体IDM厂商，具备完善的芯片设计、晶圆制造、封装检测能力。公司主要产品为各类二极管整流桥，并逐步往MOSFET、IGBT、第三代半导体功率器件等高端产品延伸。公司拥有大规模成熟制程晶圆产线，并凭借IDM的优秀模式和高效运营取得高盈利能力，利润率领先同行。

赛微电子300456：龙头。北京赛微电子股份有限公司以半导体业务为核心，面向物联网与人工智能时代，一方面重点发展MEMS工艺开发与晶圆制造业务，一方面积极布局GaN材料与器件业务，致力于成为国际化知名半导体科技企业集团。【回答】

3. 蔚来首台碳化硅电驱系统下线 ET7将搭载

易车讯  近日，我们从官方渠道获悉，蔚来第二代电驱动平台，首台碳化硅电驱系统C样下线，该电驱系统更加高效、紧凑、轻量化，是当前电动车制造领域的先进技术，量产后将会被蔚来旗下的首款轿车产品ET7率先搭载。

现阶段众多电动车制造商开始快速导入碳化硅（SiC）技术，碳化硅材料可以被电动车驱动和控制电机的逆变器、车载充电器和快速充电桩等系统所使用。同时，该材料的使用还可以令系统能耗更低、结构更紧凑、重量更轻，一举多得。


目前，特斯拉旗下的Model 3等车型也采用了碳化硅逆变器，未来包括通用、丰田等整车制造企业也将跟进使用该技术，比亚迪未来也将实现碳化硅车用功率半导体对硅基IGBT的全面替代。

4. 三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造，贯通碳化硅器件产品线

厦门2020年12月3日 /美通社/ -- 中国化合物半导体全产业链制造平台 --?三安集成于日前宣布，已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V?80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域，有助于减小系统体积，降低系统功耗，提升电源系统功率密度。目前多家客户处于样品测试阶段。

三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET
随着中国“十四五”规划浮出水面，第三代半导体项目投资升温加剧。据不完全统计，2020年有8家企业计划投资总计超过430亿元，碳化硅、氮化镓材料半导体建设项目出现“井喷”。三安集成表示，“良性竞争有助于产业链上下游协同发展，我们会加快新产品的推出速度和产能建设，以便保持先发优势。”据悉，三安集成碳化硅肖特基二极管于2018年上市后，已完成了从650V到1700V的产品线布局，并累计出货达百余万颗，器件的高可靠性获得客户一致好评。
本次推出的1200V?80mΩ?碳化硅MOSFET，与传统的硅基IGBT功率器件相比，宽禁带碳化硅材料拥有“更高、更快、更强”的特性 --?更高的耐压和耐热、更快的开关频率，更低的开关损耗。优异的高温和高压特性使得碳化硅MOSFET在大功率应用中表现出色，尤其是高压应用中，在相同的功率下，碳化硅MOSFET自身器件损耗小，极大减小了器件的散热需求，使系统朝着小型化，轻量化，集成化的方向发展。这对“寸土寸金”的电源系统来说至关重要，比如新能源车载充电器OBC、服务器电源等。
从碳化硅肖特基二极管到MOSFET，三安集成在3年时间内便完成了碳化硅器件产品线布局。在保证器件性能的前提下，提供高质量高可靠性的碳化硅产品。首款工业级碳化硅MOSFET采用平面型设计，具备优异的体二极管能力，高温直流特性，以及优良的阈值电压稳定性。
更强的体二极管能力
由于器件结构的原因，碳化硅MOSFET的体二极管是PiN二极管，器件的开启电压高，损耗大。在实际使用中，往往会通过并联肖特基二极管作续流，减小系统损耗。三安集成的碳化硅MOSFET通过优化器件结构和布局，大大增强碳化硅体二极管的通流能力，不需要额外并联二极管，降低系统成本，减小系统体积。
优良的阈值电压稳定性
如何能够得到优质的碳化硅栅氧结构是目前业界普遍的难题。栅氧质量不仅会影响MOSFET的沟道通流能力，造成阈值漂移现象，严重时会导致可靠性的失效。三安集成通过反复试验和优化栅氧条件，阈值电压的稳定性得到明显提高，1000hr的阈值漂移在0.2V以内。
目前行业内碳化硅MOSFET缺货声音不断，三安集成加速碳化硅器件产能扩张。今年7月在长沙高新区开工建设的湖南三安碳化硅全产业链园区，计划总投资160亿元，占地1000亩。目前项目一期工程建筑主体已拔地而起，计划将于2021年6月开始试产。不到1年的时间，在茅草荒地上建立一个全面涵盖碳化硅晶体生长、衬底、外延、晶圆制造和封装测试的全产业链现代化制造基地，用“三安速度”表明其在第三代半导体产业投入的决心。
“三安速度”不光体现在工程建设速度上，三安集成表示，将加快MOSFET系列产品研发和车规认证的速度，同时继续发扬优质稳定、按时交付的质量方针，充分利用大规模、全产业链的产能优势与品质管理优势，用开放的制造平台，服务全球客户。
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本文来源于汽车之家车家号作者，不代表汽车之家的观点立场。

5. 博世碳化硅功率器件首次亮相 能够提升6%的续航里程

车家号的网友，大家好！今天选车网为您带来博世碳化硅功率器件的最新消息，请点击关注选车网，第一时间了解最新的汽车资讯。
 

日前，选车君从相关渠道获悉，博世旗下的碳化硅功率器件完成了面向公众的首次亮相，该器件的主要作用是同时实现高开关频率和较低的能量损耗以及较小的芯片面积，能够将电动汽车和插电式混动汽车的纯电续航里程提升6%左右。
 

博世官方称，随着碳化硅器件使用量的不断增加，到2025年碳化硅的成本会与IGBT持平，而博世的第二家芯片工厂也将在2025年左右投产，届时博世会拥有两个晶圆生产厂，这也足以建立起博世在业内的优势地位。
 

博世已经在新能源相关汽车元器件领域深耕多年，近些年博世一直致力于为混合动力和电动车提供电机、电桥、电力电子控制器、车载冲配电单元、48V轻混系统、制动和转向系统等全面的产品组合。并且已经在中国市场成为了除主机厂外出货量最大的电机供应商。
 

选车君观点：新能源汽车的续航里程一直都是消费者十分关注的问题，也是制约新能源汽车发展的关键因素，而博世的碳化硅功率器件能够有效地缓解用户的续航里程焦虑，为消费者提供更出色的驾乘体验。
 
本文来源于汽车之家车家号作者，不代表汽车之家的观点立场。

6. 碳化硅企业在那些省份？

国内碳化硅半导体产业链代表企业
衬底企业
天科合达
北京天科合达半导体股份有限公司于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的高新技术企业。公司为全球SiC晶片的主要生产商之一。
总部公司设在北京市大兴区生物医药基地，拥有一个研发中心和一个集晶体生长-晶体加工-晶片加工-清洗检测的全套碳化硅晶片生产基地；全资子公司—新疆天科合达蓝光半导体有限公司位于新疆石河子市，主要进行碳化硅晶体生长。
山东天岳
山东天岳公司成立于2010年11月，是以碳化硅半导体衬底材料为主的高新技术企业。公司投资建成了第三代半导体材料产业化基地，具备研发、生产国际先进水平的半导体衬底材料的软硬件条件，是我国第三代半导体衬底材料行业的先进企业。
河北同光晶体
河北同光晶体有限公司成立于2012年，位于保定市高新技术开发区，主要从事第三代半导体材料碳化硅衬底的研发和生产。公司主要产品包括4英寸和6英寸导电型、半绝缘碳化硅衬底，其中4英寸衬底已达到世界先进水平。目前，公司已建成完整的碳化硅衬底生产线，是国内著名的碳化硅衬底生产企业。
中科集团2所
中科集团二所成立于1962年，是专业从事电子先进制造技术研究和电子专用设备研发制造的国家级研究所。目前，二所已形成以液晶显示器件生产设备、半导体及集成电路制造设备、特种工艺设备为主的电子专用设备和以太阳能多晶硅片、三代半导体SiC单晶抛光片为主的半导体材料两大业务方向，能够为用户提供工艺和设备的系统集成服务。
外延片企业
东莞天域半导体
天域成立于2009年，是中国第一家从事碳化硅 (SiC) 外延晶片市场营销、研发和制造的私营企业。2010年，天域与中国科学院半导体研究所合作，共同创建了碳化硅研究所。
厦门瀚天天成
瀚天天成电子科技（厦门）有限公司成立于2011年3月，是一家集研发、生产、销售碳化硅外延晶片的中美合资高新技术企业，已形成3英寸、4英寸以及6英寸的完整碳化硅半导体外延晶片生产线，并满足600V、1200V、1700V器件制作的需求。
器件/模组企业
泰科天润
泰科天润是中国第三代半导体碳化硅功率器件产业化倡导者，并拥有目前国内唯一碳化硅器件生产线。作为国内唯一一家碳化硅研发生产和平台服务型公司，泰科天润核心产品以碳化硅肖特基二极管为代表，其中600V/5A～50A，1200V/5A～50A和1700V/10A等系列的碳化硅肖特基二极管产品已经投入批量生产。
嘉兴斯达
嘉兴斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月，是一家专业从事功率半导体芯片和模块尤其是IGBT芯片和模块研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业。总部位于浙江嘉兴，在上海和欧洲均设有子公司，并在国内和欧洲设有研发中心，是目前国内IGBT领域的领军企业。公司主要产品为功率半导体元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。
中车时代电气
株洲中车时代电气股份有限公司是中国中车旗下股份制企业，其前身及母公司——中车株洲电力机车研究所有限公司创立于1959年。
2017年12月，中车时代电气总投资3.5亿元人民币的6英寸碳化硅产业基地技术调试成功，2018年1月首批芯片试制成功。这是国内首条6英寸碳化硅生产线，获得了国家“02专项 ”、国家发改委新材料专项等国家重点项目支持，是中车时代电气的重点投资项目之一，实现碳化硅二极管和MOSFET芯片工艺流程整合，成功试制1200V碳化硅肖特基二极管功率芯片。
扬杰科技
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日。2014年1月，公司在深交所创业板挂牌上市。公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。
公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
就这些了！

7. 博世碳化硅功率器件首次对外亮相

日前，博世碳化硅功率器件首次对外亮相。
该器件能够在实现高开关频率的同时，保持较低的能量损耗和较小的芯片面积，并增加电动汽车和混动汽车6%的续航里程。

博世方面表示，其位于德国的第二家芯片工厂将于2021年投产。预计到2025年，碳化硅将随着产量的增加，成本会与IGBT模块持平。
本文来源于汽车之家车家号作者，不代表汽车之家的观点立场。

8. 特斯拉充电桩用的功率器件情况,比如是IGBT第几代,还是mosfet SiC,用的谁家的？

英飞凌的


1ED020I12-F2
IKW20N60T全系列
IHW30N135R5全系列
2MBI600VN-170P-50
2MBI1000VXB-170E-54
2MBI1400VXB-170P-54
1200V 1700V  600V
模块 单管 都有
有需要麻烦照顾下，谢谢